對功率器件 SIC /高壓 FET / IGBT 等施加高電壓，可進行 BT (偏置熱應力試驗)試驗。用于評估汽車、鐵路等使用的高壓設備
■ 柵極 BT 1nA 至 10μA
■ 漏極 BT 測試 1μA 至 30mA
■ /Id 測量 1μA 至 30mA
■ /Vg 監(jiān)視器 -30V 至 +30V
電壓可高達 2000V，可同時施加 16CH /單元
■ 柵極應用 ±30V 30mA（單元內電源）
■ 漏極應用高電壓 2kV 30mA（外部電源）
■ 漏極應用低電壓 +30V 30mA（單元內電源）
