對功率器件 SIC /高壓 FET / IGBT 等施加高電壓，可進行 BT (偏置熱應(yīng)力試驗)試驗。用于評估汽車、鐵路等使用的高壓設(shè)備

■ 柵極 BT 1nA 至 10μA

■ 漏極 BT 測試 1μA 至 30mA

■ /Id 測量 1μA 至 30mA

■ /Vg 監(jiān)視器 -30V 至 +30V

電壓可高達 2000V，可同時施加 16CH /單元

■ 柵極應(yīng)用 ±30V 30mA（單元內(nèi)電源）

■ 漏極應(yīng)用高電壓 2kV 30mA（外部電源）

■ 漏極應(yīng)用低電壓 +30V 30mA（單元內(nèi)電源）